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一、典型应用：主要用于硅材料的高深宽比快速刻蚀。该设备深度小于100μm刻蚀效果较优。
二、原理：采用Bosch刻蚀工艺。工艺过程中刻蚀与钝化交替进行，钝化实现对侧壁的保护，刻蚀实现可控的纵向刻蚀，钝化-刻蚀-钝化-刻蚀交替可以实现高陡直度侧壁结构。主要用于硅材料高深宽比刻蚀。
三、备注：1.六寸以下需要领用或自备托盘，请提前做好粘片准备；
2.托盘如有小孔（暴露Si），需要做保护，以免托盘刻穿至腔室底部；
3.禁止使用金属做掩膜！刻蚀过程中不允许有任何金属暴露！
4.此设备不能刻蚀六寸双抛片，易脱落腔室。
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