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一、典型应用：可用于MEMS、先进封装、化合物半导体、光电器件、光电显示和生物芯片等领域。
二、原理：光刻工艺通过曝光的方式将掩膜版上的图形转移到涂覆于晶元表面的光刻胶上，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到晶元上。
三、备注：1、高精度：采用先进的光学系统和控制技术，能够实现高分辨率、高精度的曝光。
2、灵活性：具有多种曝光模式和曝光能量可调节的特点，可以适应不同工艺需求，满足不同芯片制造的要求。
3、高效性：具有快速曝光速度和高效的对位系统，能够提高生产效率，降低制造成本。
4、先进能量控制技术，确保每一次曝光一致性可靠性，实现微米级的图形曝光，支持背面对准光刻和键合对准工艺。
5、本设备光强均匀性较差，请预约4寸及以上样品的客户请先和设备负责人联系。
6、预约设备请提前1小时预约；迟到15分钟者，工作人员有权拒绝实施工艺。
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