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一、典型应用：SiO2生长，一次可放置两寸片5片，四寸片和六寸片1片。
二、原理：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种制备技术。它是通过反应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。
三、备注：低温工艺，请预约每天早上的第一炉工艺，并提前一个工作日17:00前预约备注好具体温度；每课题组每天工艺总厚度最多为3μm，如超过3μm，请分次分天进行生长；掺杂（包括PH3、GeH4、B2H6、H2）每天晚上19:00以后可以预约,并加收半小时的清洗机时费。此类工艺请至少提前一个工作日预约，以便设备做好相应准备。若有疑问，请致电62872627或者在预约备注中注明详细要求，否则后果需客户自己承担。
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