一、典型应用:应用于掩膜制备、原型化、小批量器件的制备和研发;纳米物性测量、原型量子器件和纳米器件的制备。二、原理:将精确聚焦的电子束斑逐点地在样品台上移动,而移动的方式可以分为逐行扫描模式和矢量扫描模式。电子束曝光是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的,与光学曝光对应,其特点是将聚焦电子束代替光照以实现抗蚀剂(光刻胶)的曝光(改性)。三、备注:1、请客户自行计算曝光时间,以此为依据预约时间。请预约正常时间段,加班时间不接受委托。本设备不接受培训。小片抽真空时间为20min左右,大片抽真空需要换夹具,预计4h-6h左右,具体时间以实际机台状态为准。2、样品大小(固定尺寸):15mm*15mm、20mm*20mm、2inch、3inch、4inch。3、光刻胶种类:PMMA A2、PMMA A4、PMMA A8、7520.17。4、曝光时间计算公式:曝光时间=曝光面积*曝光剂量/束流大小(束流大小一般为100pA)A2的剂量400微库每平方厘米,A4的剂量650微库每平方厘米, A8的剂量850微库每平方厘米。例如:10000平方微米的面积,需要曝光10分钟。
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