MA6-3(B306)
编号: MA6【1.2μm线宽尺寸,对准精度1μm】
工艺类别: 光刻
所属单位: 加工平台
管理员: 孔赤
状态: 正常
价格: 400/30分钟
单位预约时间: 30(单位:分钟)
用途
一、典型应用:高精度:采用先进的光学系统和控制技术,能够实现高分辨率、高精度的曝光; 灵活性:具有多种曝光模式和曝光能量可调节的特点,可以适应不同工艺需求,满足不同芯片制造的要求; 高效性:具有快速曝光速度和高效的对位系统,能够提高生产效率,降低制造成本; 先进能量控制技术,确保每一次曝光一致性可靠性,可以实现微米级的图形曝光,支持背面对准光刻和键合对准工艺。 可用于MEMS、先进封装、化合物半导体、光电器件、光电显示和生物芯片等领域。 二、原理:将芯片制作所需要的线路与功能区图形从掩膜板复制到样品上。光刻机发出的光通过具有图形的掩膜版对涂有光刻胶的样片曝光,利用感光后的光刻胶在溶液中的溶解速度不同实现图形的复制。 三、备注:1.样品尺寸:最大2寸,最小1cm*1cm。2.碎片必须放置在2寸垫片上。
主要技术指标
1、正面套刻精度:≤1μm,背面套刻精度:≤2μm。 2、最小特征尺寸:1.2μm。 3、样品尺寸:最大2寸,最小1cm*1cm。 4、样品厚度:<3mm。 5、掩膜版尺寸:最大7寸,最小2.5寸。 6、曝光模式:软接触,硬接触,真空、接近(间距:10-300μm)。 7、曝光强度:8.8-9.2毫瓦每平方厘米。 8、照明非均匀性:3%以内。
加工平台布局位置