快速退火炉1（B103）
编号： RTP-500 【200-900℃】
工艺类别： 掺杂
所属单位： 加工平台
管理员： 孙国庆
状态： 正常
价格： 80/30分钟
单位预约时间： 30(单位:分钟)
用途
一、典型应用：硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除或激活杂质，硅化物形成，欧姆或肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化，消除薄膜应力，提高薄膜附着性等方面。 二、原理：RTP500通过石英腔室两侧卤素灯管加热，再由金属腔体镜面热辐射实现样品的快速升温。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温，慢速升降温的功能，因此也可用于各种半导体材料PVD/CVD工艺的热处理。
主要技术指标
1、升温速率1-180℃/S； 2、每条曲线可包括50段以上； 3、温度设定范围200℃-900℃； 4、双闭环温度控制，稳态温度稳定性±2℃； 5、工艺气体O2、N2、CDA； 6、样品尺寸：4寸及以下。
加工平台布局位置