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一、典型应用：GaN、GaAs、InP Ⅲ-Ⅴ族化合物材料刻蚀。
二、原理：使用电感耦合等离子体源将反应气体分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面既进行化学反应生成挥发性气体，又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀。另外，由于该系统使用了Cl基和Br基的刻蚀气体，因此该ICP系统适合对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料进行刻蚀。
三、备注：1.金属不可作刻蚀掩膜；
2.其他工艺请备注刻蚀材料，否则不予审核；
3.非标工艺请多预约半小时清洗腔室；
4.请自备刻蚀托盘（4inch裸硅片）；
5.4inch样品请提前去除边胶（5mm）；
6.高温工艺（大于20℃），请提前联系设备负责人。
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