PECVD2-RIE3（B102）
编号： Oxford 80+【SiO2、SiNx慢速刻蚀】
工艺类别： 刻蚀
所属单位： 苏州纳米所
管理员： 王进
状态： 正常
价格： 250/30分钟
单位预约时间： 30(单位:分钟)
用途
一、典型应用：SiO2、SiNx相对较慢的刻蚀速率进行刻蚀，最大六寸基片，向下兼容。 二、原理：该设备是专门为大学及研究机构设计的小型化产品，被广泛的应用于各种产品的研发以及小批量生产。它配置了直接开启式工艺平台，可以根据客户需要分别进行RIE（反应离子刻蚀）或PECVD（等离子增强型化学气相沉积）模式，应用灵活(现仅可使用RIE功能)。 三、备注：1.其他刻蚀材料请联系工作人员； 2.该设备目前仅开放刻蚀工艺，镀膜模式异常。
主要技术指标
1.样品尺寸：最大150mm衬底，最佳为100mm衬底； 2.真空度范围：<100mTorr； 3.RF功率:10-300W； 4.目前可刻蚀材料包括：SiO2，SiNx；
加工平台布局位置