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一、典型应用：面向剥离技术的低温沉积，低温沉积超高质量二氧化硅和氮化硅。
二、原理：利用感应耦合在较低温度下形成等离子体进行化学气相沉积薄膜生长。其主要特点是：离子能量和离子电流密度分别控制，典型的工艺压强：1-10 毫托，等离子体密度：大约5×1011/cm2，等离子体和衬底相接触，沉积过程中离子电流的能量低，离子电流(等离子体密度)取决于ICP的功率，ESS(静电屏蔽)功能做到真正的感应耦合，ICP是完全自动匹配(2个射频自动匹配单元)。
三、备注：1.样品表面有电镀金属的情况下，严禁预约使用。
2.预约时间规定：周一至周四为低温工艺（75℃及以下），周五可做高温工艺，如有客户预约高温工艺，则周三下午17:00前预约好本周五、六的高温工艺并备注好温度，并提前和工作人员沟通，周六下班时设备降温，中间时间不单独降温，且收取1000元升温费。
3.膜厚≥800nm请多预约0.5h用于腔室清洁。
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