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一、典型应用：离子注入表面的牺牲层，器件绝缘介质层
二、原理：主要用于干氧氧化和湿氧氧化（氢氧合成），配置氧气、氮气和氢气三路气体，热氧化法是在高温下（900℃-1100℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。
三、备注：1.此炉管只接收裸硅片热氧化，其他材料热氧化请预约退火炉1-CALOGIC，金属材料热氧化请预约退火炉2-CALOGIC。2.未备注的默认为裸硅片，因材料类型不符，审核通过产生的费用无法更改且正常收费。3.收费标准：600元/小时，升降温400元/小时。
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