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一、典型应用：用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质，硅化物形成，欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化，消除薄膜应力，提高薄膜附着性等方面。二、原理:利用热偶灯丝做为热源,通过极快的升温,将晶圆或者材料快速的加热,从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷,用于各种半导体材料PVD/CVD工艺的热处理。三、备注：①一次可退火六寸片1片，向下尺寸兼容，退火薄膜不均匀性≤±5%。 ②由于加班时无人员轮换，每日17:30-18:30为加班人员短暂休息和用餐时间，请尽量避开预约此段时间。③ 单次工艺半小时起预约。④严禁不按平台规定恶意占用机时，如有发现取消其设备独立使用资格。⑤GaAs片勿进，预约请备注所退火材料及退火温度时间，否则不予审核。
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