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一、典型应用：可用于SiO2、石英、SiC等材料的刻蚀。
二、原理：NLD(neutral loop discharge，磁中性环路放电)较ICP而言，可在真空腔内形成高频电场，并由此产生等离子体。通过改变电流大小可以控制等离子体的直径及密度，所以具有高刻蚀速率、高均匀性、高等离子体密度及低压放电等优点。
三、备注：1.每次工艺结束，请立即将传臂手收回、腔室门关闭！
2.6寸及以下尺寸兼容，小于6寸需要使用托盘（自备6inch裸硅片托盘）；
3.长时间连续使用设备（工艺气体含有CFx）需要预留清洗时间，实际刻蚀工艺时间每超过30min需要清洗一次（15 min）；
4.单次刻蚀工艺时间最多30min；
5.刻蚀6inch样品请提前去边胶（5mm），且样品切边需符合设备要求（5.8cm左右）。
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