MOCVD-N1（A3）
编号： MOCVD N1
工艺类别： 外延
所属单位： 苏州纳米所
管理员： 周伟
状态： 检修
价格： 3000/60分钟
单位预约时间： 60(单位:分钟)
用途
价格 3000元/炉。
主要技术指标
压力：0-1000mbar； 温度：50-1100摄氏度； 载气：氢气、氮气； MO源：镓、铟、铝、镁、硅； 氮源：氨气； 反应室形式：紧耦合喷淋头垂直反应室； 基座尺寸：6 x 2英寸； 基座工作距离：5-25 mm； 基座转速：0-120转； 衬底材料：蓝宝石，Si，GaN，SiC； 原位监测：633nm激光反射； 反应室清洁：原位烘烤。
加工平台布局位置