|
一、典型应用：硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质，硅化物形成，欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化，消除薄膜应力，提高薄膜附着性等方面。
二、原理：用高强度可见光加热单片wafer或样片的快速退火系统，工艺时，wafer放置在独立的石英腔体内的石英载盘上，通过软件操作手动或自动加热模式控制上下两排的四组灯管对wafer进行加热。相对于传统的炉管式退火系统，其独特的水冷腔体设计、先进的温度控制技术以及Allwin21研发的RTAPRO软件控制系统，确保了优越的温度均匀性。
三、备注：砷化镓、磷化铟退火温度不可超过600℃。
|