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一、典型应用：主要用于硅材料的高速，深度，大深宽比刻蚀。
二、原理：深反应离子刻蚀，一种微电子干法腐蚀工艺。基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与反应离子刻蚀原理相同，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于：两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离，有效避免了RIE刻蚀中射频功率和等离子密度之间的矛盾；刻蚀和钝化交替进行的Bosch工艺：实现对侧壁的保护，能够实现可控的侧向刻蚀，可以制作出陡峭或其他倾斜角度的侧壁。DRIE工艺步骤（Bosch工艺）： 钝化----刻蚀---钝化----刻蚀，钝化：反应室中通入C4F8气体，通过化学反应形成聚合物薄膜；刻蚀：反应室中通入SF6气体，进行物理和化学刻蚀。
三、备注：1.八寸以下需要领用或自备托盘，请提前做好粘片工艺；
2.托盘如有小孔（暴露Si），需要做保护，以免托盘刻穿至腔室底部；
3.禁止使用金属做掩膜！刻蚀过程中不允许有任何金属暴露！
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