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一、典型应用：SiNx生长，一次性可放置2寸9片，4寸三片，6寸一片，8寸一片。
二、原理：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种制备技术。它是通过反应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。
三、备注：1.此设备只用于高温工艺（350℃），如需低温工艺请联系设备负责人！
2.预约设备时请备注所需生长总膜厚及wafer表面材料，如未填写审核时不予通过！
3.客户生长厚度不大于600nm，600nm以上请预留半小时清洗时间，每2μm预留1小时清洗时间！
4.每天中午（12:00-13:30）为设备清洗时间，不接受任何预约！
5.预约设备前请详细阅读说明并咨询102（内线2627）或者304（内线2724）工作人员，否则后果自己承担！
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