MOCVD #1（B406）
编号： CRIUS MOCVD(#95)
工艺类别： 外延
所属单位： 加工平台
管理员： 邓旭光
状态： 正常
价格： 650/30分钟
单位预约时间： 30(单位:分钟)
用途
sapphire/Si(111)衬底上GaN基异质结材料外延生长
主要技术指标
压力：0-1000mbar； 温度：50-1350摄氏度； 载气：氢气、氮气； MO源：镓、铟、铝、镁、硅； 氮源：氨气； 反应室形式：Vertical near-coupled spray reactor； 基座尺寸：7x4； 基座转速：60rpm； 衬底材料：Si衬底、sapphire衬底； 原位监测：405nm,950nm laser； 反应室清洁：原位烘烤。
加工平台布局位置