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一、典型应用：量产型SiO2生长。
二、原理：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种制备技术。它是通过反应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。
三、备注：1.可实施100℃、200℃、300℃、400℃工艺等，除去400℃其他温度须提前告知设备负责人。
2.可一次实施6寸wafer25片,4寸及以下尺寸需使用托盘，其他不规则片需自带托盘或提前与设备负责人联系加工托盘。
3.该设备需要提前24h以上预约，具体工艺时间请与工作人员联系。
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