MPCVD
编号： MPCVD
工艺类别： 镀膜
所属单位： 加工平台
管理员： 张丽
状态： 检修
价格： 1000/60分钟
单位预约时间： 60(单位:分钟)
用途
微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition，MPCVD)因其独特的优点，如激发的微波等离子体电子密度高、无电极污染、能量利用率高等，在众多金刚石膜的制备方法中，被认为是制备高质量金刚石膜的首选方法。该设备主要用于Si上多晶金刚石的外延生长。
主要技术指标
CH4流量0-100sccm，H2流量0-1000sccm，N2流量0-5sccm，O2流量0-2sccm 温度范围475-1600℃，微波功率范围0-5500W,腔体压力0-200Torr. 常规金刚石生长工艺速率可以达到2um/h。
加工平台布局位置