8英寸PECVD(F510)
编号: P5000(TEOS)
工艺类别: 镀膜
所属单位: 加工平台
管理员: 朱泓金
状态: 正常
价格: 600/30分钟
单位预约时间: 30(单位:分钟)
用途
等离子体化学气相沉积PETEOS,利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上产生辉光放电,通入沉积气体,源气体电离产生等离子体,在反应过程中,反应气体从进气口进入腔内,逐渐扩散至样品表面,在射频源激发的电场作用下,反应气体分解成电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应,生成形成膜的初始成分和副反应物,这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面,生成固态膜的晶核,反应物则通过真空本抽走。主要用于SiO2薄膜沉积以及深孔凹槽沉积填充,配合APCVD和HDPCVD结合使用可获得良好的间隙覆盖能力。可用于8寸及以下SiO2材料成膜, 可实施350℃、400℃工艺等.25片Cassette式自动传送。 八寸以下需使用托盘进行沉积,根据使用托盘数收取材料费。
主要技术指标
设备气体: TEOS、O3、C2F6、N2 设备工艺温度:300℃-450℃ 设备工艺压力:4-10Torr RF功率:0-800W 沉积均匀性<±4% 沉积速率:300-430nm/min 沉积应力:-100Mpa左右可调节
加工平台布局位置