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一、典型应用：可用于GaN,GaAs和Ga2O3等材料的刻蚀。 二、原理：感应耦合等离子体干法刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etcher)，由于采用独立的高密度等离子体源，可在真空腔内形成高频电场，并由此产生均匀可控的等离子体。所以具有刻蚀速率高、均匀性好、颗粒控制能力强、易维护、性能稳定等优点。 该设备有可放置25片4寸样品的cassette和可自动寻边的Aligner功能。 三、备注：1.4寸及以下尺寸兼容，小于4寸需要使用托盘（自备4inch裸硅片托盘） 2.4寸样品或者托盘必须有切边且长度为32.5mm左右； 3.该设备常规使用氯基气体（Cl2和BCl3）,如有特殊情况需切换成氟基气体（SF6和CF4）则需提前申请并预留前后共2小时清洗时间； 4.单次刻蚀工艺时间最多30min； 5.不可使用透明样品或者托盘。
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